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NXP Semiconductors
PESDxS5UD series
Fivefold ESD protection diode arrays
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
P PP
peak pulse power
t p = 8/20 μ s
[1][2]
-
200
W
I PP
peak pulse current
t p = 8/20 μ s
[1][2]
PESD3V3S5UD
PESD5V0S5UD
PESD12VS5UD
PESD15VS5UD
PESD24VS5UD
-
-
-
-
-
20
20
10
6
4
A
A
A
A
A
Per device
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 65
? 65
150
+150
+150
° C
° C
° C
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1, 3, 4, 5 or 6 to 2.
Table 6.
ESD maximum ratings
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
V ESD
electrostatic discharge voltage
IEC 61000-4-2
[1][2]
(contact discharge)
PESD3V3S5UD
PESD5V0S5UD
PESD12VS5UD
PESD15VS5UD
PESD24VS5UD
-
-
-
-
-
30
30
30
30
23
kV
kV
kV
kV
kV
PESDxS5UD series
MIL-STD-883 (human
-
10
kV
body model)
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 1, 3, 4, 5 or 6 to 2.
Table 7.
Standard
Per diode
ESD standards compliance
Conditions
PESDXS5UD_SER_2
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3 (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 10 kV
? NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 7 December 2006
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